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拆解及分析 Teardown & Component analysis
元器件规格汇总
ROG雷神3 1200W的拆解部分,按照以往的习惯,我们会在开头给出元器件汇总表格,再分析组装和电路。
外壳方面,ROG雷神3 1200W采用的是双层顶盖设计,最上面的是铝合金一体成型的上盖,这一片铝合金上盖有装饰和阻挡比较大的异物进入电源的作用。拆掉上盖之后,是第二层上盖,用于固定风扇和边角的THOR装饰灯。
风扇和边角LED灯都固定于这一片上盖,最外一层铝合金顶盖的顶面直接就是装饰花纹,没有螺丝外露,显得比较美观。你问我喜不喜欢这样的设计,我还是挺喜欢这样的设计的,测风扇转速的时候贴反光贴纸都比较方便,拆解、组装也方便。
ROG雷神3 1200W由海韵代工,采用了Onsemi NCP1654控制PFC+Champion CM6901T2XIS控制LLC的方案,引入了Transphorm的SuperGaN氮化镓晶体管器件。不同于以往的ROG雷神方案是直接在海韵的PRIME平台进行魔改而来,ROG雷神3 1200W使用了全新开发的平台,方案由ROG独占,目前海韵自家也没有产品使用这一方案。
移走两片顶盖,ROG雷神3 1200W的风扇来自EVERFLOW,型号1214025BL,规格为 12V/0.2A,DBB双滚珠轴承 。
底壳在电源输入侧的整流、PFC的对应区域以及12V同步整流区域都贴有导热垫,辅助将热量通过外壳发散。外壳的两侧分别布置有功率显示屏的插座背板和LED灯的插头。
AC插座、AC开关和温控按钮布置在同一块小卡上并且焊接到主PCB,这是近来高端电源上常见到的一种做法,尤其是应对一些尺寸比较大、元器件比较密集的电源,组装方面会便利不少。
AC插座的小卡也承担了EMI电路的部分工作,包括2个Y电容、1个X电容、一个保险管以及一套X电容泄放电路,用于在关机之后将X电容的余电放掉,避免伤人,也有助于在开机下减少导通损耗。
EMI电路的剩下一部分设置在主PCB上,分别有压敏电阻、1个X电容、2对Y电容和3个共模电感,另外还有两对玻璃封装气体放电管并联在共模电感的两端,用来释放浪涌或者雷击的能量,在遭遇浪涌和雷击时尽可能保护后方电路,提高电路可靠性,缺点是成本会高一点,只在高端电源里采用。EMI电路部分完整,该有的都有了。整流桥为两枚Vishay LVB2560 ( 600V / 25A )并联使用。
主电容红宝石的MXK 680μF+MXE 820μF/420V/105℃规格,累计总容量高达1500μF,平均1.25150μF/W的用量,对于这个瓦数而言非常大方,不过想起它的售价,又很合理,甚至还可以多给点。这一侧可以看到两个硕大的NTC热敏电阻,用于抑制电容充电时的浪涌电流,同时继电器的使用也提高了电路的可靠性和转换效率。从后面测试章节也可以看到开机浪涌电流确实被抑制到比较小的水平。
把散热片拆下来,可以看到PFC电路配置了Transphorm的SuperGaN TP65H035G4WS (650V / 29.5A @100℃ / 41mΩ )和1枚科锐Cree C6D10065A ( 650V / 10A @155℃ )二极管。
中间的散热片打了ROG的LOGO,也就是采用了ROG的散热解决方案,散热片的开孔比起前代更大一些,应该更容易吹透。散热片分两部分,基础部分固定于PCB垂直焊接,用于直接接触功率晶体管,上方扩展部分是使用螺丝再固定在基础部分之上,两者之间填充了导热硅脂,散热片的上半部分跨接两个散热片。作为著名散热器制造商,ROG就这套散热片的外观看起来是没有上两代那么张扬,从实测看,散热片的导热还是比较均匀的。
散热片下方是LLC谐振电路的开关管,配置是为4x 英飞凌 Infineon, IPP60R120P7 ( 650V / 16A @100℃ / 0.12Ω )。
主变压器使用了ER42磁芯规格,谐振电感隐藏在图中主变压器左侧的散热片下方,谐振电容在下方靠近EMI电路方向。
12V同步整流方面配置了8x Infineon, BSC007N04LS6 ( 40V / 100A@150℃ / 0.7mΩ ),正贴在PCB,并且从旁边焊接了散热片,再加装了两块开了鳍片的散热片,扩大了换热面积。12V同步整流电路出来之后跟着是8颗日化PSG 1000μF/16V固态电容、3个磁棒电感、1颗红宝石ZLQ 5600μF/16V和1颗尼吉康3300μF/16V电容进行滤波。
一部分12V输送至DC-DC子卡,生成5V和3.3V。DC-DC主控是ANPEC APW7159C,子卡配备5枚Nexperia PSMN4R0-30YLD (30V/ 95A@25℃ / 4mΩ)。同时这张子卡也负责生成-12V。
模组接线板,焊接了5颗红宝石ZLH系列电解电容和25颗FPCAP固态电容进行最后一级输出滤波,数量堆满。
回过头我们来看一遍电源上的其他区域的电路和控制IC。这一侧是用于烧录固件、功率检测、显示功能以及控制的电路,上方的几个接口也是用于这几个功能。
功率的检测采用了一颗Allegro MicroSystems ACS725KMATR,这是一颗高精度的霍尔检流IC,带宽120kHz,用于一次侧的输入检流足够了。
Weltrend WT7527RA为管控IC,负责电源的保护功能。Nuvoton M481LE8AE是一颗带有 DSP 扩展的 Arm Cortex-M4F 核心的微控制器。Microchip SST26VF016B是一颗16 Mbit串行四路输入输出闪存。Feeling Technology, FP6201是一颗升压拓扑的稳压IC,支持3.0-20V输入,0.5V/2A输出。显示屏的功率检测和显示功能就由以上的IC负责。
电源的另外一侧,这一侧的子卡主要是引出两个插座给显示屏使用。
PFC主控子板,位于两个散热片中间,配置了Onsemi NCP1654。
LLC主控子卡,上面包含了Champion CM6901T2XIS和两个Silicon Labs Si8230BD的LLC MOS驱动IC。靠近主电容的PCB是5VSB子卡,5VSB主控为Onsemi NCP1342,5VSB整流管为Infineon IPD70R900P7S ( 700V / 12.8A@25℃ /0.9Ω )。
电源采用了SMT正贴工艺,除了敷锡和焊点以外PCB背面没有元件。
MXK 680μF+MXE 820μF/420V/105℃规格,累计总容量高达“1440μF”有误,应为1500μF。
NCP4307應為5Vsb的SR控制器,並非12V。
12V的SR由6901控制。
@Kian: 感谢指正,看得真细
@fcpowerup: 另外,D-D上下橋MOSFET(PSMN4R0-30YLD)的規格我建議是寫4m ohms@25°C。
Rds_on=5.5m ohms的時候為Vgs=4.5V,但以7159C的控制來說,Vgs是給到Vcc也就是+12V的。
4m ohms比較接近操作的Rds_on值(當然還需要考慮熱對於Rds_on的漂移)。
这么久快一年了,终于更新评测了
@netp888: 竟然更新了?想问一下1200w的安耐美PlatimaxII1200用的方案怎么样,有听说5090D给线材的压力很大,不知道顶不顶得住